MTB75N05HD |
RFQ for MTB75N05HD Required Field |
 |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| MTB75N05HD | - | SOP | 00+ |
The D2PAK package has the capability of housing a larger die than any existing surface mount package which allows it to be used in applications that require the use of surface mount components with higher power and lower RDS(on) capabilities. This advanced highcell density HDTMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a draintosource diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.
Features |
| • Avalanche Energy Specified• SourcetoDrain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature• Short Heatsink Tab Manufactured - Not Sheared• Specially Designed Leadframe for Maximum Power Dissipation• Available in 24 mm 13inch/800 Unit Tape & Reel, Add T4 Suffix to Part Number |
| Rating |
Symbol |
Value |
Unit | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DraintoSource Voltage |
VDSS |
50 |
Volts
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DraintoGate Voltage (RGS = 1.0 M) |
VDGR |
50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GatetoSource Voltage - Continuous |
VGS |
±20 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain Current - Continuous - Continuous @ 100 - Single Pulse (tp 10 s) |
ID ID IDM |
75 65 22 |
Amps | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Total Power Dissipation Derate above 25 Total Power Dissipation @ TA = 25 (minimum footprint, FR4 board) |
PD |
113 0.91 2.5 |
Watts W/ Watts | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Operating and Storage Temperature Range |
TJ, Tstg |
55 to 150 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Single Pulse DraintoSource Avalanche Energy - Starting TJ = 25 (VDD = 25 V, VGS = 10 V, Peak IL = 75 A, L = 0.177 mH, RG = 25 ) |
EAS |
500 |
mJ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Thermal Resistance - Junction to Case - Junction to SupplierPost a Buying LeadPDF / DatasheetRelated PDFRelated Models
|
